ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T35310—2017 200 mm硅外延片 200 mm silicon epitaxial wafer 2018-07-01实施 2017-12-29发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35310—2017 前言 本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草， 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院。 本标准主要起草人：马林宝、骆红、杨帆、金龙、杨素心。 GB/T35310—2017 200mm硅外延片 1范围 本标准规定了直径200mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法，检验规则以及标 志、包装、运输、贮存、质量证明书 本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路 或半导体器件。 2规范性引用文件 2 521C 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6617 硅片电阻率测定扩展电阻探针法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T 14141 硅外延层、扩散层和离子注人层薄层电阻的测定直排四探针法 GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检测方法腐蚀法 GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T32280 硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 硅片包装 YS/T 28 3术语和定义 3 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4产品分类 4.1产品按导电类型分为N型和P型。N型外延层掺杂元素为磷或砷，P型外延层掺杂元素为硼。 1 GB/T35310—2017 4.2 产品按晶向分为<111）、《100）等。 5 要求 5.1 衬底材料 硅外延片用的硅抛光衬底片电阻率应符合表1的规定，其他各项参数应符合GB/T12964的规定。 表1硅抛光衬底片电阻率范围 导电类型 掺杂元素 电阻率/（2：cm） Sb ≤0.02 N As ≤0.006 P ≥0.001~60 P B ≥0.001~60 5.2外延层 5.2.1 电阻率及径向电阻率变化 硅外延片的外延层电阻率及径向电阻率变化应符合表2的规定 表2外延层电阻率及径向电阻率变化 外延层电阻率/（α2·cm） 标称电阻率允许偏差 径向电阻率变化RV 0.01~100 ±5% ≤5% 径向电阻率变化RV按式（1)计算： RV= PMax+PMin 式中： PMaxPMin 分别是指中心点以及在平行于和垂直于主参考面的两条直径上距周边6mm土1mm 的5点位置处电阻率测量值的最大值和最小值，或中心点以及在平行于和垂直于主 参考面的两条直径上1/2半径以及距周边6mm土1mm的9点位置处电阻率测量值 的最大值和最小值。 径向电阻率变化的其他测试方案（如取点方法、计算公式等）也可由供需双方商定并在合同中注明。 5.2.2厚度及径向厚度变化 硅外延片的外延层厚度及径向厚度变化应符合表3的规定。 表3外延层厚度及径向厚度变化 外延层厚度/um 标称厚度允许偏差 径向厚度变化TV 1~120 ±5% ≤5% 2