书 书 书犐犆犛 ２９ ． ０４５ 犎 ８２ 中华人民共和国国家标准 犌犅 ／ 犜 ２９０５４ — ２０１９ 代替 ＧＢ ／ Ｔ２９０５４ — ２０１２ 太阳能电池用铸造多晶硅块 犆犪狊狋犻狀犵犿狌犾狋犻犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀犫狉犻犮犽犳狅狉狆犺狅狋狅狏狅犾狋犪犻犮狊狅犾犪狉犮犲犾犾 ２０１９  ０６  ０４ 发布 ２０２０  ０５  ０１ 实施 国家市场监督管理总局 中国国家标准化管理委员会 发布 书 书 书前 　　 言 　　 本标准按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２００９ 给出的规则起草 。 本标准代替 ＧＢ ／ Ｔ２９０５４ — ２０１２ 《 太阳能级铸造多晶硅块 》。 本标准与 ＧＢ ／ Ｔ２９０５４ — ２０１２ 相比 ， 除编辑性修改外主要技术变化如下 ： ——— 修改了适用范围 ， 将 “ 适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块 ” 改为 “ 适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块 （ 包括类单晶硅块 ）。 产品用于切割成硅片后进一步制作太阳能电池 ”（ 见第 １ 章 ， ２０１２ 年版的第 １ 章 ）。 ——— 删除了规范性引用文件中 ＧＢ ／ Ｔ６６１６ 、 ＳＥＭＩＰＶ１０７０９ ， 增加了 ＧＢ ／ Ｔ１５５４ 、 ＧＢ ／ Ｔ２８２８．１ — ２０１２ 、 ＧＢ ／ Ｔ３１８５４ ， 将 ＧＢ ／ Ｔ１５５１ 、 ＧＢ ／ Ｔ１５５３ 、 ＧＢ ／ Ｔ１５５７ 、 ＧＢ ／ Ｔ１５５８ 移到了参考文献 （ 见第 ２ 章 ， ２０１２ 年版的第 ２ 章 ）。 ——— 删除了硅块的定义 ， 增加了有效高度 、 类单晶和最大晶粒面积比例的定义 （ 见第 ３ 章 ， ２０１２ 年版的第 ３ 章 ）。 ——— 删除了分类 （ 见 ２０１２ 年版的第 ４ 章 ）。 ——— 端面尺寸由 １２５ｍｍ×１２５ｍｍ 、 １５６ｍｍ×１５６ｍｍ 改为 １５６．７５ｍｍ×１５６．７５ｍｍ ， 其他尺寸 ， 建议增减量为 １ｍｍ 的整数倍 （ 见 ４．１．１ ， 见 ２０１２ 年版的第 ４ 章 ）。 ——— 修改了端面尺寸及允许偏差 （ 见 ４．１．１ ， ２０１２ 年版的第 ４ 章 、 ５．１．６ ）。 ——— 修改了载流子寿命的要求 ， 由 ≥ １ μ ｓ 改为不小于 ２ μ ｓ （ 见 ４．２．３ ， ２０１２ 年版的 ５．２ ）。 ——— 修改了间隙氧含量的要求 ， 由 ≤ ８×１０ １７ ａｔｏｍｓ ／ ｃｍ ３ 改为不大于 ６×１０ １７ ａｔｏｍｓ ／ ｃｍ ３ （ 见 ４．３ ， ２０１２ 年版的 ５．２ ）。 ——— 增加了类单晶硅块的最大晶粒面积比例和缺陷密度要求及试验方法 、 检验规则等 （ 见 ４．７ 、 ４．８ 、 ５．１３ 、 ５．１４ 、 第 ６ 章 ）。 ——— 删除了硼浓度的要求 （ 见 ２０１２ 年版的 ５．２ ）。 ——— 修改了检验项目 、 取样及检验结果的判定 （ 见 ６．３ 、 ６．４ 、 ６．５ ， ２０１２ 年版的 ７．３ 、 ７．４ 、 ７．５ ）。 ——— 增加了附录 Ａ ， 列出了常见的不同最大晶粒面积比例的类单晶硅块 （ 见附录 Ａ ）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ） 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ／ ＳＣ２ ） 共同提出并归口 。 本标准起草单位 ： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 、 镇江仁德新能源科技有限公司 、 江西赛维 ＬＤＫ 太阳能高科技有限公司 、 宜昌南玻硅材料有限公司 、 有色金属技术经济研究院 、 扬州荣德新能源科技有限公司 、 英利能源 （ 中国 ） 有限公司 。 本标准主要起草人 ： 万跃鹏 、 唐骏 、 游达 、 林清香 、 苏磊 、 杨素心 、 余刚 、 高长昆 、 常传波 、 李建敏 、 何亮 、 陈发勤 、 孙培亚 、 张雷 。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 ： ——— ＧＢ ／ Ｔ２９０５４ — ２０１２ 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ２９０５４ — ２０１９ 太阳能电池用铸造多晶硅块 １ 　 范围 本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块 （ 以下简称硅块 ） 的要求 、 试验方法 、 检验规则 、 标志 、 包装 、 运输 、 贮存 、 质量证明书和订货单 （ 或合同 ） 内容 。 本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块 （ 包括类单晶硅块 ）。 注 ： 多晶硅块切割成硅片后用于制作太阳能电池 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 仅注日期的版本适用于本文件 。 凡是不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ１５５０ 　 非本征半导体材料导电类型测试方法 ＧＢ ／ Ｔ１５５４ 　 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 ＧＢ ／ Ｔ２８２８．１ — ２０１２ 　 计数抽样检验程序 　 第 １ 部分 ： 按接收质量限 （ ＡＱＬ ） 检索的逐批检验抽样计划 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 　 半导体材料术语 ＧＢ ／ Ｔ３１８５４ 　 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 ３ 　 术语和定义 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 。 ３ ． １ 　 有效高度 　 犲犳犳犲犮狋犻狏犲犺犲犻犵犺狋 硅块符合各项技术要求的可切割高度 。 ３ ． ２ 　 类单晶 　 狇狌犪狊犻犿狅狀狅犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀 通过单晶籽晶 ， 以定向凝固法生长形成的铸造多晶 ， 该晶体具有明显与籽晶同方向的大晶粒 ， 也可称为铸造单晶 、 准单晶等 。 ３ ． ３ 　 最大晶粒面积比例 　 狋犺犲狆犲狉犮犲狀狋犪犵犲狅犳狋犺犲犾犪狉犵犲狊狋狊犻狀犵犾犲犵狉犪犻狀 类单晶硅块横截面上具有指定晶向的最大晶粒区域的面积与类单晶硅块横截面总面积的比值 。 ４ 　 要求 ４ ． １ 　 外形尺寸 ４ ． １ ． １ 　 硅块端面为准方形 ， 端面尺寸为 １５６．７５ｍｍ×１５６．７５ｍｍ ， 尺寸允许偏差为 ±０．２５ｍｍ 。 如需其他尺寸 ， 尺寸增减量宜为 １ｍｍ 的整数倍 。 ４ ． １ ． ２ 　 硅块的有效高度应不小于 １００ｍｍ 。 １ 犌犅 ／ 犜 ２９０５４ — ２０１９ ４ ． １ ． ３ 　 硅块的倒角尺寸及角度如图 １ 所示 ， 倒角尺寸为 １．５ｍｍ±０．５ｍｍ ， 倒角角度为 ４５°±１０° 。 ４ ． １ ． ４ 　 硅块相邻两面的垂直度如图 １ 所示 ， 垂直度为 ９０° ， 允许偏差为 ±０．２５° 。 图 １ 　 倒角尺寸 、 倒角角度和垂直度示意图 ４ ． ２ 　 电学性能 ４ ． ２ ． １ 　 硅块的导电类型为 Ｐ 型 。 ４ ． ２ ． ２ 　 硅块的电阻率为 ０．５ Ω · ｃｍ ～ ３．０ Ω · ｃｍ 。 ４ ． ２ ． ３ 　 硅块的载流子寿命应不小于 ２ μ ｓ 。 ４ ． ３ 　 间隙氧含量 硅块的间隙氧含量应不大于 ６×１０ １７ ａｔｏｍｓ ／ ｃｍ ３ 。 ４ ． ４ 　 代位碳含量 硅块的代位碳含量应不大于 ５×１０ １７ ａｔｏｍｓ ／ ｃｍ ３ 。 ４ ． ５ 　 金属杂质总含量 硅块中的金属杂质 （ Ｆｅ 、 Ｃｒ 、 Ｎｉ 、 Ｃｕ 、 Ｚｎ ） 总含量应不大于 ２ μ ｇ ／ ｇ 。 ４ ． ６ 　 表面质量 ４ ． ６ ． １ 　 在有效高度内 ， 硅块表面应无目视可见裂纹 、 崩边 、 缺口 。 ４ ． ６ ． ２ 　 硅块 ４ 个侧面的红外探伤检测结果不应有尺寸大于 ５ｍｍ 的点状杂质 。 ４ ． ６ ． ３ 　 硅块侧面的表面粗糙度 犚犪 应不大于 ０．２ μ ｍ 。 ４ ． ７ 　 类单晶硅块的最大晶粒面积比例 类单晶硅块的最大晶粒面积比例应符合表 １ 的规定 。 常见的不同最大晶粒面积比例的类单晶硅块参见附录 Ａ 。 ２ 犌犅 ／ 犜 ２９０５４ — ２０１９