SJ-T 11853-2022 正压悬浮区熔单晶硅炉

ICS31.220 SJ CCS L 97 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T118532022 正压悬浮区熔单晶硅炉 Single-crystal silicon growing furnace by positive pressure float zone melting 2022-10-20发布 2023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11853—2022 目次前言范围. 1 规范性引用文件 2 术语和定义 3 产品型号及构成 4 工作条件 5 要求 6 试验方法 7 检验规则 8 标志、包装、运输和储存 9 SJ/T11853—2022 前信本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部电子信息司提出。本文件由全国半导体材料与设备标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本文件起草单位：浙江晶盛机电股份有限公司、浙江晶鸿精密机械制造有限公司、浙江求是半导体设备有限公司、天津中环领先材料技术有限子技术标准化研究院。刘嘉、王遵义、孙健、曹可钢飞、慰、吴怡然、李其聪 RDS D

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本文档由人生无常于 2024-10-27 16:25:59上传分享